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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> PESD5V0S2BT
PESD5V0S2BT PDF预览

PESD5V0S2BT

更新时间： 2024-09-27 22:16:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
11页 73K
描述
Low capacitance bi-directional double ESD protection diode in SOT23 package

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PESD5V0S2BT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.37
其他特性：LOW CAPACITANCE最大击穿电压：9.5 V
最小击穿电压：5.5 V击穿电压标称值：7.5 V
最大钳位电压：14 V配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：130 W元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：BIDIRECTIONAL认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：5 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

PESD5V0S2BT 数据手册

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PESD5V0S2BT  
Low capacitance bi-directional double ESD protection diode  
in SOT23 package  
Rev. 02 — 27 May 2004  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Low capacitance bi-directional double ESD protection diode in the small SOT23 plastic  
package designed to protect 2 data lines from the damage caused by Electro Static  
Discharge (ESD) and other transients.  
1.2 Features  
■ Bi-directional ESD protection of 2 lines  
■ Low diode capacitance  
■ Max. peak pulse power: Ppp = 130 W at tp = 8/20 µs  
■ Low clamping voltage: VCL(R) = 14 V at Ipp = 12 A  
■ Ultra low leakage current: IRM = 5 nA at VRWM = 5 V  
■ ESD protection > 30 kV  
■ IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)  
■ IEC-61000-4-5 (surge); Ipp = 12 A at tp = 8/20 µs.  
1.3 Applications  
■ Cellular handsets and accessories  
■ Portable electronics  
■ Computers and peripherals  
■ Communication systems  
■ Audio and video equipment.  
1.4 Quick reference data  
Table 1:  
Symbol  
VRWM  
Cd  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
5
Max  
Unit  
V
reverse stand-off voltage  
diode capacitance  
-
-
-
-
f = 1 MHz;  
VR = 0 V  
35  
pF  
number of protected lines  
-
2
-
1234567...11

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PESD5V0S2BT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Low capacitance bidirectional double ESD protection diodeProduction
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 		TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE,DUAL,BIDIRECTIONAL,CENTER-TAPPED,5V V(RWM),SOT-23
PESD5V0S2UAT NXP

获取价格

 		Double ESD protection diodes in SOT23 package
PESD5V0S2UAT NEXPERIA

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 		Double ESD protection diode in SOT23 packageProduction
PESD5V0S2UAT,215 NXP

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