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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.75 | 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PEMB1,115 | ETC |
获取价格 |
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666 |
|
| PEMB10 | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped double transistor R1 = 2.2 kohm, R2 = 47 kohm |
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| PEMB10 | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 100 mA PNP/PNP resistor-equipped double |
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| PEMB10,115 | NXP |
获取价格 |
PEMB10; PUMB10 - PNP/PNP resistor-equipped tr |
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| PEMB11 | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kohm, R2 = 10 kohm |
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| PEMB11 | NEXPERIA |
获取价格 |
PNP/PNP resistor-equipped transistor; R1 = 10 |
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| PEMB11,115 | NXP |
获取价格 |
PEMB11; PUMB11 - PNP/PNP resistor-equipped tr |
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| PEMB13 | NXP |
获取价格 |
PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kohm, R2 = 47 kohm |
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| PEMB13 | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 100 mA PNP/PNP resistor-equipped transi |
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| PEMB14 | NXP |
获取价格 |
PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 kohm, R2 = open |
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