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PDZ12B,145 PDF预览

PDZ12B,145

更新时间: 2024-09-16 21:12:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 185K
描述
Zener Diode, 12V V(Z), 2%, 0.4W, Silicon, Unidirectional

PDZ12B,145 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.72
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.4 W
标称参考电压:12 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL最大电压容差:2%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

PDZ12B,145 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PDZ-B series  
Voltage regulator diodes  
Product data sheet  
2004 Mar 22  
Supersedes data of 2002 Feb 18  

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