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PDTC114YT,215

更新时间： 2024-01-10 21:32:17

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
17页	719K
描述
PDTC114Y series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 47 kΩ TO-236 3-Pin

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PDTC114YT,215 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-236	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	7.21	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	3.5 pF	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	0.25 W	最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

PDTC114YT,215 数据手册

PDTC114Y series

NPN resistor-equipped transistors;

R1 = 10 k, R2 = 47 k

Rev. 7 — 18 November 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) family in Surface-Mounted Device (SMD)

plastic packages.

Table 1.

Product overview

Type number

Package

NXP

PNP

complement

Package

configuration

JEITA

SC-75

SC-101

JEDEC

PDTC114YE

PDTC114YM

PDTC114YT

PDTC114YU

SOT416

SOT883

SOT23

SOT323

PDTA114YE

PDTA114YM

ultra small

leadless ultra small

small

TO-236AB PDTA114YT

PDTA114YU

SC-70

very small

1.2 Features and benefits

 100 mA output current capability

 Built-in bias resistors

 Reduces component count

 Reduces pick and place costs

 AEC-Q101 qualified

 Simplifies circuit design

1.3 Applications

 Digital applications in automotive and

industrial segments

 Cost-saving alternative for BC847/857

series in digital applications

 Switching loads

 Control of IC inputs

1.4 Quick reference data

Table 2.

Symbol

V_CEO

I_O

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

collector-emitter voltage

output current

open base

100

k

bias resistor 1 (input)

bias resistor ratio

4.7

R2/R1

3.7

5.7

12 3 4 5 6 7...17

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PDTC114YT,215 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMUN2211LT1G	ONSEMI	功能相似	Bias Resistor Transistor
DTC114EET1G	ONSEMI	功能相似	Bias Resistor Transistor

与PDTC114YT,215相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PDTC114YT-Q	NEXPERIA	获取价格	50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor
PDTC114YU	NEXPERIA	获取价格	50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor
PDTC114YU	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistor
PDTC114YU-Q	NEXPERIA	获取价格	50 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistor
PDTC114YUT/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, BIP Gene
PDTC115E	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW
PDTC115EE	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW
PDTC115EE,115	NXP	获取价格	PDTC115E series - NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhm SC-75 3-
PDTC115EEF	NXP	获取价格	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW
PDTC115EEF,115	NXP	获取价格	20mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-89, 3 PIN

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