5秒后页面跳转
PDM41298LA10SOI PDF预览

PDM41298LA10SOI

更新时间: 2024-09-19 20:16:47
品牌 Logo 应用领域
IXYS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 361K
描述
Standard SRAM, 64KX4, 10ns, CMOS, PDSO28

PDM41298LA10SOI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:10 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J28JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4端子数量:28
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64KX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ28,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.0005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.18 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

PDM41298LA10SOI 数据手册

 浏览型号PDM41298LA10SOI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PDM41298LA10SOI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PDM41298LA10SOI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PDM41298LA10SOI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PDM41298LA10SOI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PDM41298LA10SOI的Datasheet PDF文件第7页 

与PDM41298LA10SOI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PDM41298LA10T ETC

获取价格

x4 SRAM
PDM41298LA10TI ETC

获取价格

x4 SRAM
PDM41298LA12DI ETC

获取价格

x4 SRAM
PDM41298LA12P IXYS

获取价格

Standard SRAM, 64KX4, 12ns, CMOS, PDIP28
PDM41298LA12PI ETC

获取价格

x4 SRAM
PDM41298LA12SO ETC

获取价格

x4 SRAM
PDM41298LA12SOI ETC

获取价格

x4 SRAM
PDM41298LA12T ETC

获取价格

x4 SRAM
PDM41298LA12TI ETC

获取价格

x4 SRAM
PDM41298LA15DI ETC

获取价格

x4 SRAM