5秒后页面跳转
PDM41298LA20SOI PDF预览

PDM41298LA20SOI

更新时间: 2024-11-08 20:16:47
品牌 Logo 应用领域
IXYS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 361K
描述
Standard SRAM, 64KX4, 20ns, CMOS, PDSO28

PDM41298LA20SOI 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:20 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J28
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
端子数量:28字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:64KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ28,.34封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.0005 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.15 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

PDM41298LA20SOI 数据手册

 浏览型号PDM41298LA20SOI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PDM41298LA20SOI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PDM41298LA20SOI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PDM41298LA20SOI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PDM41298LA20SOI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PDM41298LA20SOI的Datasheet PDF文件第7页 

与PDM41298LA20SOI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PDM41298LA20T ETC

获取价格

x4 SRAM
PDM41298LA20TI ETC

获取价格

x4 SRAM
PDM41298LA25DI IXYS

获取价格

Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, CDIP28
PDM41298LA25P ETC

获取价格

x4 SRAM
PDM41298LA25PI ETC

获取价格

x4 SRAM
PDM41298LA25SO ETC

获取价格

x4 SRAM
PDM41298LA25SOI IXYS

获取价格

Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, PDSO28
PDM41298LA25T IXYS

获取价格

Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, PDSO28
PDM41298LA25TI ETC

获取价格

x4 SRAM
PDM41298SA10DI IXYS

获取价格

Standard SRAM, 64KX4, 10ns, CMOS, CDIP28