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PDM41257LA20SOI

更新时间: 2024-09-18 20:24:27
品牌 Logo 应用领域
IXYS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 328K
描述
Standard SRAM, 256KX1, 20ns, CMOS, PDSO24

PDM41257LA20SOI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOJ, SOJ24,.34Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:20 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PDSO-J24JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1端子数量:24
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ24,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.0005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.15 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

PDM41257LA20SOI 数据手册

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