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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | SOJ, SOJ24,.34 | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 10 ns | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J24 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 15.875 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 256KX1 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ24,.34 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.75 mm | 最大待机电流： | 0.02 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.2 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDM41257SA10SOITY | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 10ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
|
| PDM41257SA10SOTR | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 10ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
|
| PDM41257SA10SOTY | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
|
| PDM41257SA12DI | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
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| PDM41257SA12SO | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
|
| PDM41257SA12SOA | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 12ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
|
| PDM41257SA12SOATR | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 12ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
|
| PDM41257SA12SOATY | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 12ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
|
| PDM41257SA12SOI | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
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| PDM41257SA12SOITR | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
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