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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.71 |
| 最长访问时间： | 15 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-J24 |
| 长度： | 15.875 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 105 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 256KX1 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.75 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PDM41257LA15SOI | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 15ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
|
| PDM41257LA15SOITR | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 15ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
|
| PDM41257LA15SOITY | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 15ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
|
| PDM41257LA15SOTR | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 15ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
|
| PDM41257LA15SOTY | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 15ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 |
|
| PDM41257LA20DI | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
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| PDM41257LA20SO | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
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| PDM41257LA20SOI | IXYS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX1, 20ns, CMOS, PDSO24 |
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| PDM41257LA25DI | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
|
| PDM41257LA25SO | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
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