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PBSS5220T,215

更新时间: 2024-11-21 20:01:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 61K
描述
PBSS5220T - 20 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor TO-236 3-Pin

PBSS5220T,215 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-236包装说明:PLASTIC PACKAGE-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.36
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):225
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.48 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

PBSS5220T,215 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
ge  
PBSS5220T  
20 V, 2 A  
PNP low VCEsat (BISS) transistor  
Product data sheet  
2003 Dec 18  

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