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P600M-E3/54

更新时间: 2024-09-14 19:26:03
品牌 Logo 应用领域
NJSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 130K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 1000V V(RRM), Silicon

P600M-E3/54 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.58
其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.4 VJESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流:400 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-50 °C
最大输出电流:6 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大重复峰值反向电压:1000 V最大反向电流:5 µA
最大反向恢复时间:2.5 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

P600M-E3/54 数据手册

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