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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.11 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 35 ns |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T28 | 内存密度： | 73728 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 9 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 8KX9 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.715 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P4C163-35DC | ETC |
获取价格 |
x9 SRAM |
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| P4C163-35DM | ETC |
获取价格 |
x9 SRAM |
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| P4C163-35DMB | PYRAMID |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX9, 35ns, CMOS, CDIP28, CERDIP-28 |
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| P4C163-35FC | PYRAMID |
获取价格 |
ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS |
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| P4C163-35FCLF | PYRAMID |
获取价格 |
ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS |
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| P4C163-35FM | PYRAMID |
获取价格 |
ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS |
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| P4C163-35FMB | PYRAMID |
获取价格 |
ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS |
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| P4C163-35FMBLF | PYRAMID |
获取价格 |
ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS |
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| P4C163-35FMLF | PYRAMID |
获取价格 |
ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS |
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| P4C163-35JC | PYRAMID |
获取价格 |
ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS |
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