是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DFP |
包装说明: | DFP, FL28,.4 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.12 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 35 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDFP-F28 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 73728 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 9 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 8KX9 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DFP | 封装等效代码: | FL28,.4 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.286 mm | 最大待机电流: | 0.02 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.12 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | FLAT | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 9.017 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
P4C163-35FMB | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS | |
P4C163-35FMBLF | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS | |
P4C163-35FMLF | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS | |
P4C163-35JC | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS | |
P4C163-35JCLF | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS | |
P4C163-35JM | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS | |
P4C163-35JMB | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS | |
P4C163-35JMBLF | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS | |
P4C163-35JMLF | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS | |
P4C163-35LC | PYRAMID |
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ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS |