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P4C163-35LMBLF

更新时间： 2024-11-18 04:55:11
品牌 Logo 应用领域
PYRAMID /
页数 文件大小 规格书
12页 322K
描述
ULTRA HIGH SPEED 8K x 9 STATIC CMOS RAMS

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P4C163-35LMBLF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：QLCC
包装说明：QCCN,针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.12
最长访问时间：35 nsJESD-30 代码：R-CQCC-N28
长度：13.97 mm内存密度：73728 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：9
功能数量：1端子数量：28
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：8KX9
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：QCCN
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified筛选级别：MIL-STD-883 Class B
座面最大高度：1.905 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子形式：NO LEAD
端子节距：1.27 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：8.89 mm
Base Number Matches：1

P4C163-35LMBLF 数据手册

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P4C163/P4C163L  
ULTRA HIGH SPEED 8K x 9  
STATIC CMOS RAMS  
FEATURES  
Data Retention with 2.0V Supply, 10 µA Typical  
Current (P4C163L Military)  
Full CMOS, 6T Cell  
High Speed (Equal Access and Cycle Times)  
– 25/35ns (Commercial)  
Common I/O  
– 25/35/45ns (Military)  
Fully TTL Compatible Inputs and Outputs  
Low Power Operation (Commercial/Military)  
Standard Pinout (JEDEC Approved)  
– 28-Pin 300 mil DIP, SOJ  
– 28-Pin 350 x 550 mil LCC  
– 28-Pin CERPACK  
Output Enable and Dual Chip Enable Control  
Functions  
Single 5V±10% Power Supply  
DESCRIPTION  
Accesstimesasfastas25nanosecondsareavailable,per-  
mittinggreatlyenhancedsystemoperatingspeeds.CMOS  
is used to reduce power consumption in both active and  
standbymodes.  
TheP4C163andP4C163Lare73,728-bitultrahigh-speed  
staticRAMsorganizedas8Kx9.TheCMOSmemoriesre-  
quire no clocks or refreshing and have equal access and  
cycle times. Inputs are fully TTL-compatible. The RAMs  
operate from a single 5V±10% tolerance power supply.  
Withbatterybackup,dataintegrityismaintainedforsupply  
voltages down to 2.0V. Current drain is 10 µA from a 2.0V  
supply.  
The P4C163 and P4C163L are available in 28-pin 300 mil  
DIP and SOJ, 28-pin 350 x 550 mil LCC, and 28-pin  
CERPACKpackagesprovidingexcellentboardleveldensi-  
ties.  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
PIN CONFIGURATIONS  
DIP (P5, C5), SOJ (J5)  
CERPACK (F4) SIMILAR  
LCC (L5)  
Document # SRAM120 REV C  
Revised August 2006  
1
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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