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P4C1024-35J3C

更新时间： 2024-02-14 00:32:32

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描述
x8 SRAM

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P4C1024-35J3C 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ, SOJ32,.34	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.19
最长访问时间：	35 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J32	JESD-609代码：	e0
长度：	20.955 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ32,.34
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.7592 mm	最大待机电流：	0.02 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.16 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8.56 mm	Base Number Matches：	1

P4C1024-35J3C 数据手册

P4C1024

AC CHARACTERISTICS - WRITE CYCLE

(Over Recommended Operating Temperature & Supply Voltage)

-15

-17

-20

-25

-35

-45

Symbol

Parameter

Unit

Max

Min

Min Max

Max Min Max

Min Max Min

Write Cycle Time

t_WC

t_CW

Chip Enable Time 12

to End of Write

Address Valid to

End of Write

t_AW

t_AS

t_WP

t_AH

Address Set-up

Time

Write Pulse Width 12

Address Hold Time

Data Valid to End

of Write

t_DW

Data Hold Time

t_DH

t_WZ

Write Enable to

Output in High Z

t_OW

Output Active from

End of Write

WRITE CYCLE NO. 1 (WE CONTROLLED)⁽⁶⁾

(9)

ADDRESS

CE₁

CE₂

DATA IN

DATA VALID

(4,7)

(4)

(7)

DATA OUT

DATA UNDEFINED

HIGH IMPEDANCE

Notes:

6. CE₁and WE are LOW and CE₂is HIGH for WRITE cycle.

7. OE is LOW for this WRITE cycle to show twz and tow.

8. If CE₁goes HIGH or CE₂goes LOW simultaneously with WE HIGH, the output remains in a high impedance state.

9. Write Cycle Time is measured from the last valid address to the first transitioning address.

145

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