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P4C1024-35J3C

更新时间： 2024-02-27 17:47:48
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页数 文件大小 规格书
8页 87K
描述
x8 SRAM

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P4C1024-35J3C 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：SOJ
包装说明：SOJ, SOJ32,.34针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.19
最长访问时间：35 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J32JESD-609代码：e0
长度：20.955 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ32,.34
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.7592 mm最大待机电流：0.02 A
最小待机电流：4.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.16 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：8.56 mmBase Number Matches：1

P4C1024-35J3C 数据手册

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P4C1024  
CAPACITANCES  
(VCC = 5.0V, TA = 25°C, f = 1.0 MHz)  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Test Conditions  
Max  
8
CIN  
pF  
pF  
Input Capacitance  
VIN = 0V  
COUT  
Output Capacitance  
VOUT = 0V  
10  
POWER DISSIPATION CHARACTERISTICS VS. SPEED  
Temperature  
Symbol  
Parameter  
Unit  
-15  
-20  
-25  
Range  
-17  
-35 -45  
Commercial  
Industrial  
ICC  
190 180 160  
N/A N/A 175  
145 N/A  
160 155  
mA  
mA  
150  
165  
Dynamic Operating Current  
*Tested with outputs open and all address and data inputs changing at the maximum write-cycle rate.  
The device is continuously enabled for writing, i.e., CE2 ≥ VIH (min), CE1, and WE ≤ VIL (max). Switching inputs are 0V  
and 3V.  
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS - READ CYCLE  
(Over Recommended Operating Temperature & Supply Voltage)  
-15  
-35  
-45  
-17  
-20  
-25  
Unit  
Parameter  
Symbol  
Min  
Max Min  
Max Min Max  
Max Min Max Min  
Max  
Min  
tRC  
15  
17  
20  
25  
Read Cycle Time  
Address Access Time  
35  
45  
ns  
ns  
45  
45  
tAA  
tAC  
tOH  
tLZ  
15  
15  
20  
20  
17  
17  
25  
25  
35  
35  
Chip Enable Access  
Time  
ns  
ns  
ns  
Output Hold from  
Address Change  
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
Chip Enable to  
Output in Low Z  
8
6
11  
10  
ns  
ns  
ns  
tHZ  
Chip Disable to  
Output in High Z  
9
7
9
9
15  
15  
20  
20  
Output Enable Low  
to Data Valid  
tOE  
0
0
Output Enable Low  
to Low Z  
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
tOLZ  
tOHZ  
tPU  
9
15  
20  
7
Output Enable High  
to High Z  
6
11  
20  
20  
25  
ns  
ns  
Chip Enable to  
Power Up Time  
tPD  
12  
20  
ns  
Chip Disable to  
15  
Power Down Time  
143  
12345678

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