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P4C1024-35J4I

更新时间: 2024-02-14 04:29:24
品牌 Logo 应用领域
PYRAMID 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 189K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

P4C1024-35J4I 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ, SOJ32,.44针数:32
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.06
最长访问时间:35 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J32JESD-609代码:e0
长度:20.955 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ32,.44
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.7592 mm最大待机电流:0.02 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.16 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:11.76 mmBase Number Matches:1

P4C1024-35J4I 数据手册

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