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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.46 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 45 ns |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 128KX8 | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| P4C1024-45FM | PYRAMID | Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDFP32, CERPACK-32 |
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| P4C1024-45FMB | PYRAMID | Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDFP32, CERPACK-32 |
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| P4C1024-45J3I | PYRAMID | Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
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| P4C1024-45L32MB | PYRAMID | Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, HERMETIC SEALED, LCC-32 |
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| P4C1024-45P3I | PYRAMID | Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDIP32, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
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| P4C1024-55C4M | PYRAMID | Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32 |
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