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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DFP |
| 包装说明： | DFP, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.48 |
| 最长访问时间： | 70 ns | JESD-30 代码： | R-GDFP-F32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 128KX8 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DFP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| P4C1024-70LMB | PYRAMID | Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, 0.450 X 0.550 INCH, LCC-32 |
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| P4C1024-85C4MB | PYRAMID | Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32 |
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| P4C1024-85C6M | PYRAMID | Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32 |
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|
| P4C1024-85CJMB | PYRAMID | Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32 |
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| P4C1024-85FSM | PYRAMID | Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, FLATPACK-32 |
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| P4C1024L | PYRAMID | LOW POWER 128K x 8 CMOS STATIC RAM |
获取价格 |
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