是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP32,.3 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.34 |
最长访问时间: | 35 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 40.64 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.02 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.16 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
P4C1024-35P3I | ETC | x8 SRAM |
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P4C1024-45CJM | PYRAMID | Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32 |
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P4C1024-45CJMB | PYRAMID | Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32 |
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P4C1024-45DMB | PYRAMID | Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.300 INCH, CERDIP-32 |
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P4C1024-45FM | PYRAMID | Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDFP32, CERPACK-32 |
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P4C1024-45FMB | PYRAMID | Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, CDFP32, CERPACK-32 |
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