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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.04 | 标称电路换相断开时间： | 8 µs |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 50 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 200 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 最大维持电流： | 600 mA |
| 最大漏电流： | 30 mA | 通态非重复峰值电流： | 6500 A |
| 最大通态电压： | 1.39 V | 最大通态电流： | 833000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 断态重复峰值电压： | 200 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P270CH02EJ | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1050 A, 200 V, SCR, TO-200AB |
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| P270CH02EJO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1050 A, 200 V, SCR |
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| P270CH02EK | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1050 A, 200 V, SCR, TO-200AB |
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| P270CH02EK0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),833A I(T),TO-200AB |
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| P270CH02EKO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1050 A, 200 V, SCR |
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| P270CH02EL | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),833A I(T),TO-200AB |
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| P270CH02ELO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1050A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
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| P270CH02EM | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),833A I(T),TO-200AB |
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| P270CH02EM0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),833A I(T),TO-200AB |
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| P270CH02EN0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),833A I(T),TO-200AB |
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