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P270CH02EM0

更新时间: 2023-03-15 00:00:00
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IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
4页 304K
描述
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),833A I(T),TO-200AB

P270CH02EM0 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84标称电路换相断开时间:12 µs
关态电压最小值的临界上升速率:100 V/us最大直流栅极触发电流:200 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:600 mA
最大漏电流:30 mA通态非重复峰值电流:6500 A
最大通态电流:833000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C断态重复峰值电压:200 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

P270CH02EM0 数据手册

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