5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 200 mA | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 490 A | 断态重复峰值电压： | 200 V |
| 重复峰值反向电压： | 200 V | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 触发设备类型： | SCR |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P105CH02CN0 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 395000mA I(T), 200V V(DRM), |
|
| P105CH02DHO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 490 A, 200 V, SCR |
|
| P105CH02DJ | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 490A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB |
|
| P105CH02DJ0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),395A I(T),TO-200AB |
|
| P105CH02DJO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 490A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
|
| P105CH02DK0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),395A I(T),TO-200AB |
|
| P105CH02DKO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 490A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element |
|
| P105CH02DL | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 490 A, 200 V, SCR, TO-200AB |
|
| P105CH02DL0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 395000mA I(T), 200V V(DRM) |
|
| P105CH02DM | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 490A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
