5秒后页面跳转
P105CH02DM PDF预览

P105CH02DM

更新时间: 2024-11-06 07:16:27
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 257K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 490A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB

P105CH02DM 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.84
其他特性:HIGH RELIABILITY标称电路换相断开时间:12 µs
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:50 V/us
最大直流栅极触发电流:200 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大维持电流:600 mAJEDEC-95代码:TO-200AB
JESD-30 代码:O-CEDB-N2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:490 A
重复峰值关态漏电流最大值:20000 µA断态重复峰值电压:200 V
重复峰值反向电压:200 V表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:END
触发设备类型:SCR

P105CH02DM 数据手册

 浏览型号P105CH02DM的Datasheet PDF文件第2页 

与P105CH02DM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P105CH02DM0 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 395000mA I(T), 200V V(DRM)
P105CH02DMO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 490A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element
P105CH02DN0 LITTELFUSE

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 395000mA I(T), 200V V(DRM),
P105CH02EHO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 490 A, 200 V, SCR
P105CH02EJ IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 490 A, 200 V, SCR, TO-200AB
P105CH02EJO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 490 A, 200 V, SCR
P105CH02EK IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 490A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB
P105CH02EK0 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 395000mA I(T), 200V V(DRM)
P105CH02EKO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 490A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element
P105CH02EL IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 490A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-200AB