5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 200 mA | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 428 A | 断态重复峰值电压： | 1000 V |
| 重复峰值反向电压： | 1000 V | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P095CH10DJ0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),356A I(T),TO-200AB |
|
| P095CH10DJO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 428 A, 1000 V, SCR |
|
| P095CH10E2KO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 428 A, 1000 V, SCR |
|
| P095CH10EG0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),356A I(T),TO-200AB |
|
| P095CH10EGO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 428A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element |
|
| P095CH10EH | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 428 A, 1000 V, SCR, TO-200AB |
|
| P095CH10EH0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),356A I(T),TO-200AB |
|
| P095CH10EHO | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 428 A, 1000 V, SCR |
|
| P095CH10EJ | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 428 A, 1000 V, SCR, TO-200AB |
|
| P095CH10EJ0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),356A I(T),TO-200AB |
|
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
