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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 标称电路换相断开时间： | 35 µs |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 200 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 最大维持电流： | 600 mA |
| 最大漏电流： | 20 mA | 通态非重复峰值电流： | 1800 A |
| 最大通态电流： | 356000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 断态重复峰值电压： | 1000 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P095CH10FHO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 428A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element |
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| P095CH10FJ0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),356A I(T),TO-200AB |
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| P095CH10FJO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 428A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element |
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| P095CH12C2K | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 428A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| P095CH12C2K0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),356A I(T),TO-200AB |
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| P095CH12CG | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 428A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| P095CH12CH | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 428 A, 1200 V, SCR, TO-200AB |
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| P095CH12CH0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),356A I(T),TO-200AB |
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| P095CH12CJ | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 428A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| P095CH12CJ0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 356000mA I(T), 1200V V(DRM) |
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