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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 标称电路换相断开时间： | 30 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 200 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 最大维持电流： | 600 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-200AB | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 428 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 20000 µA |
| 断态重复峰值电压： | 800 V | 重复峰值反向电压： | 800 V |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 触发设备类型： | SCR |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| P095CH08FH0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),356A I(T),TO-200AB |
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| P095CH08FHO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 428A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element |
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| P095CH08FJ | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 428A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-200AB |
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| P095CH08FJ0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 356000mA I(T), 800V V(DRM) |
|
| P095CH08FJO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 428A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element |
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| P095CH10C2K | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 428A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| P095CH10C2K0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),356A I(T),TO-200AB |
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| P095CH10C2KO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 428 A, 1000 V, SCR |
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| P095CH10CG | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 428A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
|
| P095CH10CG0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 356000mA I(T), 1000V V(DRM) |
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