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P0848YC06B

更新时间： 2024-09-16 21:08:35
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力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
13页 1659K
描述
Silicon Controlled Rectifier,

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P0848YC06B 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.72
Base Number Matches：1

P0848YC06B 数据手册

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Date:- 6 Nov, 2014  
Data Sheet Issue:- 3.  
Fast Turn-off Thyristor  
Types P0848YC04x to P0848YC06x  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
400-600  
V
V
V
V
400-600  
400-600  
500-700  
MAXIMUM  
LIMITS  
848  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(AV)  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
ITSM2  
I2t  
Mean on-state current, Tsink=55°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Mean on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
Nominal RMS on-state current, Tsink=25°C, (note 2)  
D.C. on-state current, Tsink=25°C, (note 4)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, VRM10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM=0.6VRRM, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, VRM10V, (note 5)  
Maximum rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)  
Maximum rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)  
Peak reverse gate voltage  
A
A
558  
319  
A
1713  
A
1394  
A
8750  
A
9625  
A
383×103  
463×103  
500  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
I2t  
diT/dt  
1000  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
VGD  
5
Mean forward gate power  
2
W
Peak forward gate power  
30  
W
Non-trigger gate voltage, (Note 7)  
0.25  
V
THS  
Operating temperature range  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
6) VD=67% VDRM, IFG=2A, tr0.5µs, Tcase=125°C.  
7) Rated VDRM  
.
Data Sheet. Types P0848YC04x to P0848YC06x Issue 3  
Page 1 of 12  
November, 2014  
1234567...13

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与P0848YC06B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P0848YS04B IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1713A I(T)RMS, 1394000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 E
P0848YS04B LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1713A I(T)RMS, 1394000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 E
P0848YS04C IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1713A I(T)RMS, 1394000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 E
P0848YS04C LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1713A I(T)RMS, 1394000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 E
P0848YS04D IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1713A I(T)RMS, 1394000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 E
P0848YS04D LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1713A I(T)RMS, 1394000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 E
P0848YS05C IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1713A I(T)RMS, 1394000mA I(T), 500V V(DRM), 500V V(RRM), 1 E
P0848YS05D IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 1713A I(T)RMS, 1394000mA I(T), 500V V(DRM), 500V V(RRM), 1 E
P0848YS06B LITTELFUSE

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 		Trigger Device,
P0848YS06C LITTELFUSE

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 		Trigger Device,

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