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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 标称电路换相断开时间： | 30 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 20 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 100 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3 V | 最大维持电流： | 400 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-65 | JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 100 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 10000 µA |
| 断态重复峰值电压： | 1200 V | 重复峰值反向电压： | 1200 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| P027RH12CH0 | IXYS | Silicon Controlled Rectifier, 100000mA I(T), 1200V V(DRM) |
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| P027RH12DG | IXYS | Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-65 |
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| P027RH12DG0 | IXYS | Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),100A I(T),TO-208AC |
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| P027RH12DGO | IXYS | Silicon Controlled Rectifier, 100 A, 1200 V, SCR |
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| P027RH12DH | IXYS | Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-65 |
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| P027RH12DH0 | IXYS | Silicon Controlled Rectifier, 100000mA I(T), 1200V V(DRM) |
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