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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 标称电路换相断开时间： | 35 µs |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 100 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大维持电流： | 400 mA | JEDEC-95代码： | TO-65 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 100 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 10000 µA | 断态重复峰值电压： | 1200 V |
| 重复峰值反向电压： | 1200 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置： | UPPER |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| P027RH12FGO | IXYS | Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
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| P027RH12FH | IXYS | Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-65 |
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| P027RH12FHO | IXYS | Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
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| P0295WC12D | IXYS | Silicon Controlled Rectifier, 600A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| P0295WC12D | LITTELFUSE | The Littelfuse "P" series of fast switching thyristors have a regenerative gate structure |
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| P0295WC12E | IXYS | Silicon Controlled Rectifier, 600A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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