5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ANODE |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 100 mA |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 100 A |
| 断态重复峰值电压： | 1200 V | 重复峰值反向电压： | 1200 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| P027RH12FH | IXYS | Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-65 |
获取价格 |
|
| P027RH12FHO | IXYS | Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element |
获取价格 |
|
| P0295WC12D | IXYS | Silicon Controlled Rectifier, 600A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
获取价格 |
|
| P0295WC12D | LITTELFUSE | The Littelfuse "P" series of fast switching thyristors have a regenerative gate structure |
获取价格 |
|
| P0295WC12E | IXYS | Silicon Controlled Rectifier, 600A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
获取价格 |
|
| P0295WC12E | LITTELFUSE | Silicon Controlled Rectifier, 600A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
获取价格 |
|
AO3401场效应管参数、引脚图、应用原理图
BT131可控硅参数及引脚图、工作原理详解
74LS32芯片参数、引脚图及功能真值表
全球首块英伟达H200交付 黄仁勋“送货上门”
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
