5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | , DIE OR CHIP |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.68 |
| 显示模式： | SEGMENT | 底板数： | 48-BP |
| 区段数： | 84 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装等效代码： | DIE OR CHIP |
| 电源： | 2.5/3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Interface ICs | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| OM6214SS | ETC |
获取价格 |
TWO POWER MOSFETS IN HERMETIC ISOLATED SIP PACKAGE |
|
| OM6215EA52 | OHMITE |
获取价格 |
Fixed Resistor, Carbon Film, 1W, 620ohm, 500V, 5% +/-Tol, 450ppm/Cel, Through Hole Mount, |
|
| OM6215ER52 | OHMITE |
获取价格 |
Fixed Resistor, Carbon Film, 1W, 620ohm, 500V, 5% +/-Tol, 450ppm/Cel, Through Hole Mount, |
|
| OM6215E-R58 | OHMITE |
获取价格 |
RES 620 OHM 1W 5% AXIAL |
|
| OM6215SS | ETC |
获取价格 |
TWO POWER MOSFETS IN HERMETIC ISOLATED SIP PACKAGE |
|
| OM6216SS | ETC |
获取价格 |
TWO POWER MOSFETS IN HERMETIC ISOLATED SIP PACKAGE |
|
| OM6217SS | ETC |
获取价格 |
TWO POWER MOSFETS IN HERMETIC ISOLATED SIP PACKAGE |
|
| OM6217SST | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| OM6217SSV | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| OM6218SP1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | SIP |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
