是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P6 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.79 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (ID): | 13 A |
最大漏源导通电阻: | 0.4 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-MSFM-P6 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 52 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
OM6217SSV | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
OM6218SP1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | SIP | |
OM6219SP1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | SIP | |
OM6220SP1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) | SIP | |
OM6221SP1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | SIP | |
OM6222SP1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 4A I(D) | SIP | |
OM6223SP2 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | SIP | |
OM6224SP2 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) | SIP | |
OM6225E-R58 | OHMITE |
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RES 6.2K OHM 1W 5% AXIAL | |
OM6225SP2 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | SIP |