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OM6217SSV PDF预览

OM6217SSV

更新时间： 2024-11-23 20:59:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SIP-6

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OM6217SSV 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-MSFM-P6Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.79其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：ISOLATED配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (ID)：13 A
最大漏源导通电阻：0.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-MSFM-P6JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：METAL
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

OM6217SSV 数据手册

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OM6214SS OM6216SS  
OM6215SS OM6217SS  
TWO POWER MOSFETS IN HERMETIC  
ISOLATED SIP PACKAGE  
100V Thru 500V, Dual High Current,  
N-Channel MOSFETs  
FEATURES  
• Two Isolated MOSFETs In A Hermetic Metal Package  
• Fast Switching, Low Drive Current  
• Ease of Paralleling For Added Power  
• Low RDS(on)  
• Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S Levels  
DESCRIPTION  
This series of hermetically packaged products feature the latest advanced MOSFET  
and packaging technology. They are ideally suited for Military requirements where  
small size, high performance and high reliability are required, and in applications  
such as switching power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio  
amplifiers and high energy pulse circuits.  
MAXIMUM RATINGS  
PART NUMBER  
OM6214SS  
OM6215SS  
OM6216SS  
OM6217SS  
VDS  
RDS(ON)  
.065  
.095  
.3  
ID(MAX)  
30A  
25A  
15A  
13A  
100V  
200V  
400V  
500V  
3.1  
.4  
SCHEMATIC  
CONNECTION DIAGRAM  
FET#1  
S
FET#2  
S D  
D
G
G
4 11 R4  
Supersedes 1 07 R3  
3.1 - 109  
1234

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