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NX3DV221GM,115

更新时间： 2024-01-24 07:44:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 输出元件
页数 文件大小 规格书
19页 1089K
描述
NX3DV221 - High-speed USB 2.0 switch with enable QFN 10-Pin

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NX3DV221GM,115 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：QFN包装说明：VQCCN, LCC10,.06X.08,20
针数：10Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：1
JESD-30 代码：R-PQCC-N10JESD-609代码：e3
长度：2 mm湿度敏感等级：1
信道数量：6功能数量：1
端子数量：10标称断态隔离度：38 dB
通态电阻匹配规范：0.1 Ω最大通态电阻 (Ron)：7 Ω
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出：SEPARATE OUTPUT封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VQCCN封装等效代码：LCC10,.06X.08,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：2.5/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.5 mm
子类别：Multiplexer or Switches最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES最长断开时间：23 ns
最长接通时间：50 ns切换：BREAK-BEFORE-MAKE
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.58 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：1.55 mm
Base Number Matches：1

NX3DV221GM,115 数据手册

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NX3DV221  
High-speed USB 2.0 switch with enable  
Rev. 4 — 19 June 2013  
Product data sheet  
1. General description  
The NX3DV221 is a high-bandwidth switch designed for the switching of high-speed USB  
2.0 signals in handset and consumer applications. These applications could be cell  
phones, digital cameras, and notebooks with hubs or controllers with limited USB I/Os.  
The wide bandwidth (1 GHz) of this switch allows signal to pass with minimum edge and  
phase distortion. The device multiplexes differential outputs from a USB host device to  
one of two corresponding outputs. The switch is bidirectional and offers little or no  
attenuation of the high-speed signals at the outputs. It is designed for low bit-to-bit skew  
and high channel-to-channel noise isolation, and is compatible with various standards,  
such as high-speed USB 2.0 (480 Mbps).  
2. Features and benefits  
Wide supply voltage range from 2.3 V to 3.6 V  
Switch voltage accepts signals up to 5.5 V  
1.8 V control logic at VCC = 3.6 V  
Low-power mode when OE is HIGH (2 A maximum)  
6 (maximum) ON resistance  
0.1 (typical) ON resistance mismatch between channels  
6 pF (typical) ON-state capacitance  
High bandwidth (1.0 GHz typical)  
Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78B Class II Level A  
ESD protection:  
HBM JESD22-A114F Class 3A exceeds 8000 V  
CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V  
HBM exceeds 12000 V for I/O to GND protection  
Specified from 40 C to +85 C  
3. Applications  
Routes signals for USB 1.0, 1.1 and 2.0  
 
 
 
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NX3DV221GM,132 NXP NX3DV221 - High-speed USB 2.0 switch with enable QFN 10-Pin

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