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NX3DV221GM,132

更新时间： 2024-11-27 15:46:59

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恩智浦 - NXP		输出元件
页数	文件大小	规格书
19页	1105K
描述
NX3DV221 - High-speed USB 2.0 switch with enable QFN 10-Pin

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NX3DV221GM,132 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFN
包装说明：	VQCCN, LCC10,.06X.08,20	针数：	10
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.28
模拟集成电路 - 其他类型：	DIFFERENTIAL MULTIPLEXER	JESD-30 代码：	R-PQCC-N10
长度：	2 mm	信道数量：	6
功能数量：	1	端子数量：	10
标称断态隔离度：	38 dB	通态电阻匹配规范：	0.1 Ω
最大通态电阻 (Ron)：	7 Ω	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	输出：	SEPARATE OUTPUT
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VQCCN
封装等效代码：	LCC10,.06X.08,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE	电源：	2.5/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	0.5 mm
子类别：	Multiplexer or Switches	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	最长断开时间：	23 ns
最长接通时间：	50 ns	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.58 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	1.55 mm
Base Number Matches：	1

NX3DV221GM,132 数据手册

NX3DV221

High-speed USB 2.0 switch with enable

Rev. 4 — 19 June 2013

Product data sheet

1. General description

The NX3DV221 is a high-bandwidth switch designed for the switching of high-speed USB

2.0 signals in handset and consumer applications. These applications could be cell

phones, digital cameras, and notebooks with hubs or controllers with limited USB I/Os.

The wide bandwidth (1 GHz) of this switch allows signal to pass with minimum edge and

phase distortion. The device multiplexes differential outputs from a USB host device to

one of two corresponding outputs. The switch is bidirectional and offers little or no

attenuation of the high-speed signals at the outputs. It is designed for low bit-to-bit skew

and high channel-to-channel noise isolation, and is compatible with various standards,

such as high-speed USB 2.0 (480 Mbps).

2. Features and benefits

 Wide supply voltage range from 2.3 V to 3.6 V

 Switch voltage accepts signals up to 5.5 V

 1.8 V control logic at V_CC= 3.6 V

 Low-power mode when OE is HIGH (2 A maximum)

 6  (maximum) ON resistance

 0.1  (typical) ON resistance mismatch between channels

 6 pF (typical) ON-state capacitance

 High bandwidth (1.0 GHz typical)

 Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78B Class II Level A

 ESD protection:

 HBM JESD22-A114F Class 3A exceeds 8000 V

 CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V

 HBM exceeds 12000 V for I/O to GND protection

 Specified from 40 C to +85 C

3. Applications

 Routes signals for USB 1.0, 1.1 and 2.0

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