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NX3DV2567

更新时间： 2024-02-25 15:24:01
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恩智浦 - NXP 开关
页数 文件大小 规格书
20页 635K
描述
Low-ohmic four-pole double-throw analog switch

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NX3DV2567 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：QFN包装说明：HVQCCN,
针数：16Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.72
Is Samacsys：N模拟集成电路 - 其他类型：4PDT
JESD-30 代码：S-PQCC-N16长度：3 mm
湿度敏感等级：1信道数量：4
功能数量：1端子数量：16
标称断态隔离度：60 dB最大通态电阻 (Ron)：0.8 Ω
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HVQCCN
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：260座面最大高度：0.5 mm
最大供电电压 (Vsup)：4.3 V最小供电电压 (Vsup)：1.4 V
标称供电电压 (Vsup)：1.5 V表面贴装：YES
最长断开时间：90 ns最长接通时间：120 ns
温度等级：AUTOMOTIVE端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：3 mm
Base Number Matches：1

NX3DV2567 数据手册

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NX3DV2567  
Low-ohmic four-pole double-throw analog switch  
Rev. 1 — 28 September 2010  
Product data sheet  
1. General description  
The NX3DV2567 is a four-pole double-throw analog switch (4PDT) optimized for  
switching WLAN-SIM supply, data and control signals. It has one digital select input (S)  
and four switches each with two independent input/outputs (nY0 and nY1) and a common  
input/output (nZ). Schmitt trigger action at S makes the circuit tolerant to slower input rise  
and fall times across the entire VCC range from 1.4 V to 4.3 V.  
A low input voltage threshold allows pin S to be driven by lower level logic signals without  
significant increase in supply current ICC. This makes it possible for the NX3DV2567 to  
switch 4.3 V signals with a 1.8 V digital controller, eliminating the need for logic level  
translation.  
The NX3DV2567 allows signals with amplitude up to VCC to be transmitted from nZ to nY0  
or nY1; or from nY0 or nY1 to nZ..  
2. Features and benefits  
„ Wide supply voltage range from 1.4 V to 4.3 V  
„ Very low ON resistance for supply path:  
‹ 0.5 Ω (typical) at VCC = 1.8 V  
‹ 0.45 Ω (typical) at VCC = 2.7 V  
„ Low ON resistance for data path:  
‹ 7 Ω (typical) at VCC = 1.8 V  
‹ 6 Ω (typical) at VCC = 2.7 V  
„ Low ON capacitance for data path  
„ Wide −3 db bandwidth > 160 MHz  
„ Break-before-make switching  
„ High noise immunity  
„ ESD protection:  
‹ HBM JESD22-A114F Class 3A exceeds 4000 V  
‹ HBM JESD22-A114F Class 3A I/O to GND exceeds 7000 V  
‹ CDM AEC-Q100-011 revision B exceeds 1000 V  
„ CMOS low-power consumption  
„ Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78B Class II Level A  
„ 1.8 V control logic at VCC = 3.6 V  
„ Control input accepts voltages above supply voltage  
„ Very low supply current, even when input is below VCC  
„ High current handling capability (350 mA continuous current under 3.3 V supply for  
supply path switch)  
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