NX3DV2567GU

更新时间： 2024-11-29 12:20:27

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恩智浦 - NXP		复用器开关复用器或开关信号电路光电二极管
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20页	635K
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Low-ohmic four-pole double-throw analog switch

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NX3DV2567GU 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	QFN	包装说明：	VQCCN,
针数：	16	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	模拟集成电路 - 其他类型：	4PDT
JESD-30 代码：	R-PQCC-N16	长度：	2.6 mm
湿度敏感等级：	1	信道数量：	4
功能数量：	1	端子数量：	16
标称断态隔离度：	60 dB	最大通态电阻 (Ron)：	0.8 Ω
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VQCCN
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	座面最大高度：	0.5 mm
最大供电电压 (Vsup)：	4.3 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.4 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V	表面贴装：	YES
最长断开时间：	90 ns	最长接通时间：	120 ns
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.4 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	1.8 mm
Base Number Matches：	1

NX3DV2567GU 数据手册

NX3DV2567

Low-ohmic four-pole double-throw analog switch

Rev. 1 — 28 September 2010

Product data sheet

1. General description

The NX3DV2567 is a four-pole double-throw analog switch (4PDT) optimized for

switching WLAN-SIM supply, data and control signals. It has one digital select input (S)

and four switches each with two independent input/outputs (nY0 and nY1) and a common

input/output (nZ). Schmitt trigger action at S makes the circuit tolerant to slower input rise

and fall times across the entire V_CCrange from 1.4 V to 4.3 V.

A low input voltage threshold allows pin S to be driven by lower level logic signals without

significant increase in supply current I_CC. This makes it possible for the NX3DV2567 to

switch 4.3 V signals with a 1.8 V digital controller, eliminating the need for logic level

translation.

The NX3DV2567 allows signals with amplitude up to V_CCto be transmitted from nZ to nY0

or nY1; or from nY0 or nY1 to nZ..

2. Features and benefits

Wide supply voltage range from 1.4 V to 4.3 V

Very low ON resistance for supply path:

0.5 Ω (typical) at V_CC= 1.8 V

0.45 Ω (typical) at V_CC= 2.7 V

Low ON resistance for data path:

7 Ω (typical) at V_CC= 1.8 V

6 Ω (typical) at V_CC= 2.7 V

Low ON capacitance for data path

Wide −3 db bandwidth > 160 MHz

Break-before-make switching

High noise immunity

ESD protection:

HBM JESD22-A114F Class 3A exceeds 4000 V

HBM JESD22-A114F Class 3A I/O to GND exceeds 7000 V

CDM AEC-Q100-011 revision B exceeds 1000 V

CMOS low-power consumption

Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78B Class II Level A

1.8 V control logic at V_CC= 3.6 V

Control input accepts voltages above supply voltage

Very low supply current, even when input is below V_CC

High current handling capability (350 mA continuous current under 3.3 V supply for

supply path switch)

12 3 4 5 6 7...20

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