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NX25P16-VEI-G

更新时间: 2024-11-02 15:46:59
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
36页 657K
描述
Flash, 2MX8, PDSO8,

NX25P16-VEI-G 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SON, SOLCC8,.3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.8最大时钟频率 (fCLK):50 MHz
数据保留时间-最小值:20耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-N8内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
端子数量:8字数:2097152 words
字数代码:2000000最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:2MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SON
封装等效代码:SOLCC8,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
串行总线类型:SPI最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.008 mA
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
类型:NOR TYPE写保护:HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches:1

NX25P16-VEI-G 数据手册

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PRELIMINARY  
OCTOBER2004  
NX25P80, NX25P16 AND NX25P32  
8M-BIT, 16M-BIT AND 32M-BIT  
Serial Flash Memory  
NexFlashTechnologies, Inc.  
1
PRELIMINARYNXSF044F-1004  
10/07/04 ©  

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