是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | 0.300 INCH, GREEN, SOIC-16 | 针数: | 16 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.69 |
最大时钟频率 (fCLK): | 25 MHz | 数据保留时间-最小值: | 20 |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-G16 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 10.285 mm |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 1 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 16 |
字数: | 16777216 words | 字数代码: | 16000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 16MX1 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP16,.4 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3/3.3 V |
编程电压: | 2.7 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.64 mm | 串行总线类型: | SPI |
最大待机电流: | 0.000005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.02 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 7.49 mm |
写保护: | HARDWARE/SOFTWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NX25P16-VFI-GT | WINBOND |
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Flash, 2MX8, PDSO16, | |
NX25P16-VPI | WINBOND |
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Flash Memory, | |
NX25P16-VSI | WINBOND |
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16MX1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8, 0.208 INCH, SOIC-8 | |
NX25P16-VSI-C | WINBOND |
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Flash, 2MX8, PDSO8, | |
NX25P16VSIG | WINBOND |
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Flash, 16MX1, PDSO8, 0.208 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8 | |
NX25P16-VSI-GT | WINBOND |
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Flash, 2MX8, PDSO8 | |
NX25P16-VSI-T | WINBOND |
获取价格 |
Flash, 2MX8, PDSO8, SOIC-8 | |
NX25P20 | ETC |
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1M BIT 2M BIT AND 4M BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 10MHZ SPI | |
NX25P20-VNI-G | WINBOND |
获取价格 |
Flash, 2MX1, PDSO8, 0.150 INCH, GREEN, SOIC-8 | |
NX25P20-VNI-GT | WINBOND |
获取价格 |
Flash, 256KX8, PDSO8, |