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NVTYS014N08HLTWG

更新时间： 2023-09-03 20:30:32
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安森美 - ONSEMI /
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描述
MOSFET – Power, Single, N-Channel,

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NVTYS014N08HLTWG 数据手册

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NVTYS014N08HL  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Drain−to−Source Breakdown Voltage  
V
V
GS  
= 0 V, I = 250 mA  
80  
V
(BR)DSS  
D
Drain−to−Source Breakdown  
Voltage Temperature Coefficient  
V
/
I
D
= 250 A, ref to 25°C  
57.6  
mV/°C  
(BR)DSS  
T
J
Zero Gate Voltage Drain Current  
I
T = 25°C  
10  
mA  
DSS  
J
V
= 0 V,  
GS  
DS  
V
= 80 V  
T = 125°C  
J
250  
100  
Gate−to−Source Leakage Current  
ON CHARACTERISTICS (Note 5)  
Gate Threshold Voltage  
I
V
V
V
= 0 V, V = 20 V  
nA  
GSS  
DS  
GS  
V
= V , I = 45 mA  
1.2  
2.2  
V
GS(TH)  
GS  
DS  
D
Drain−to−Source On Resistance  
R
V
= 10 V, I = 10 A  
11.5  
14.3  
54  
13.9  
17.4  
mW  
DS(on)  
GS  
D
= 4.5 V, I = 10 A  
GS  
D
Forward Transconductance  
CHARGES AND CAPACITANCES  
Input Capacitance  
g
V
= 5 V, I = 15 A  
S
FS  
DS  
D
C
891  
121  
6.5  
pF  
iss  
V
= 0 V, f = 1.0 MHz,  
GS  
Output Capacitance  
C
oss  
V
= 40 V  
DS  
Reverse Transfer Capacitance  
C
rss  
Negative Threshold Temperature  
Coefficient  
V
/T  
−5.7  
mV/°C  
GS(TH)  
J
I
D
= 45 mA, ref to 25°C  
Threshold Gate Charge  
Gate−to−Source Charge  
Gate−to−Drain Charge  
Total Gate Charge  
Q
1.4  
2.4  
3
nC  
G(TH)  
Q
V
V
= 10 V, V = 40 V, I = 15 A  
DS D  
GS  
GS  
Q
GD  
Q
= 10 V, V = 40 V, I = 15 A  
15.5  
nC  
ns  
G(TOT)  
GS  
DS  
D
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 6)  
Turn−On Delay Time  
Rise Time  
t
8.7  
9
d(on)  
t
r
V
GS  
I
= 6.0 V, V = 64 V,  
DS  
= 15 A, R = 6 W  
D
G
Turn−Off Delay Time  
Fall Time  
t
26  
7.5  
d(off)  
t
f
DRAIN−SOURCE DIODE CHARACTERISTICS  
Forward Diode Voltage  
V
T = 25°C  
0.8  
0.7  
32  
15  
17  
19  
1.2  
V
SD  
J
V
= 0 V,  
GS  
S
I
= 10 A  
T = 125°C  
J
Reverse Recovery Time  
Charge Time  
t
ns  
RR  
t
t
a
V
GS  
= 0 V, dl /dt = 100 A/ms,  
S
I
S
= 15 A  
Discharge Time  
b
Reverse Recovery Charge  
Q
nC  
RR  
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
5. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2%.  
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.  
www.onsemi.com  
2
 
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