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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NVMS4816NR2G
NVMS4816NR2G PDF预览

NVMS4816NR2G

更新时间： 2024-02-13 19:12:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 89K
描述
单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，11A，10mΩ

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NVMS4816NR2G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SOIC-8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.08雪崩能效等级（Eas）：78 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：6.8 A最大漏源导通电阻：0.01 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：33 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

NVMS4816NR2G 数据手册

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NTMS4816N  
Power MOSFET  
30 V, 11 A, N-Channel, SO-8  
Features  
•ꢀLow R  
to Minimize Conduction Losses  
DS(on)  
•ꢀLow Capacitance to Minimize Driver Losses  
•ꢀOptimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
•ꢀThis is a Pb-Free Device  
http://onsemi.com  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
Applications  
10 mW @ 10 V  
16 mW @ 4.5 V  
•ꢀDisk Drives  
•ꢀDC-DC Converters  
•ꢀPrinters  
30 V  
11 A  
N-Channel  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Symbol Value Unit  
D
V
30  
20  
V
V
A
DSS  
Gate-to-Source Voltage  
Continuous Drain  
V
GS  
Steady  
State  
I
D
T = 25°C  
9.0  
7.2  
1.37  
A
G
Current R  
(Note 1)  
q
JA  
T = 70°C  
A
Power Dissipation R  
(Note 1)  
Steady  
State  
T = 25°C  
A
P
W
A
q
D
JA  
JA  
S
Continuous Drain  
Current R  
Steady  
State  
I
D
T = 25°C  
A
6.8  
5.4  
MARKING DIAGRAM/  
PIN ASSIGNMENT  
(Note 2)  
q
JA  
T = 70°C  
A
Power Dissipation R  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
I
0.78  
W
A
q
D
1
8
Source  
Source  
Source  
Gate  
Drain  
Drain  
Drain  
Drain  
1
Continuous Drain  
Current R , t v 10 s  
(Note 1)  
Steady  
State  
T = 25°C  
A
11  
8.8  
SO-8  
CASE 751  
STYLE 12  
D
q
JA  
T = 70°C  
A
Top View  
Power Dissipation  
R
Steady  
State  
T = 25°C  
P
2.04  
W
A
D
, t v 10 s(Note 1)  
q
JA  
4816N = Device Code  
A
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ms  
A
I
DM  
33  
A
= Assembly Location  
= Year  
p
Y
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
J
T
stg  
-55 to  
150  
°C  
WW  
G
= Work Week  
= Pb-Free Package  
Source Current (Body Diode)  
I
S
2.7  
78  
A
(Note: Microdot may be in either location)  
Single Pulse Drain-to-Source Avalanche Energy  
(T = 25°C, V = 30 V, V = 10 V,  
E
AS  
mJ  
J
DD  
GS  
I = 12.5 A , L = 1.0 mH, R = 25 W)  
ORDERING INFORMATION  
L
pk  
G
†
Device  
Package  
Shipping  
2500/Tape & Reel  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
NTMS4816NR2G  
SO-8  
(Pb-Free)  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Symbol Value Unit  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
°C/W  
Junction-to-Ambient – Steady State (Note 1)  
Junction-to-Ambient – t v 10 s (Note 1)  
Junction-to-Foot (Drain)  
R
R
91.5  
61.3  
q
q
JA  
JA  
R
22.5  
q
JF  
JA  
Junction-to-Ambient – Steady State (Note 2)  
R
159.5  
q
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surfacemounted on FR4 board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq  
[1 oz] including traces).  
2. Surfacemounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
©ꢀ Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
December, 2007 - Rev. 0  
1
Publication Order Number:  
NTMS4816N/D  
 
12345

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与NVMS4816NR2G相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NVMS5P02R2G ONSEMI Single P-Channel Enhancement−Mode Power MOSFE

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NVMSSDFS ETC NVMSSDFS

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