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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTK3142PT5G
NTK3142PT5G PDF预览

NTK3142PT5G

更新时间： 2024-09-17 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 131K
描述
小信号 MOSFET，20V，280mA，3.4Ω，单 P 沟道，SOT-723，带 ESD 防护

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NTK3142PT5G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：LEAD FREE, CASE 631AA-01, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.18
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：0.215 A最大漏源导通电阻：4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTK3142PT5G 数据手册

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NTK3142P  
Small Signal MOSFET  
−20 V, −280 mA, P−Channel with ESD  
Protection, SOT−723  
Features  
• Enables High Density PCB Manufacturing  
• 44% Smaller Footprint than SC−89 and 38% Thinner than SC−89  
• Low Voltage Drive Makes this Device Ideal for Portable Equipment  
http://onsemi.com  
V
R
TYP  
I Max  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• Low Threshold Levels, 1.8 V R  
Rating  
2.7 W @ −4.5 V  
DS(on)  
−280 mA  
−20 V  
• Low Profile (< 0.5 mm) Allows It to Fit Easily into Extremely Thin  
Environments such as Portable Electronics  
4.1 W @ −2.5 V  
6.1 W @ −1.8 V  
• Operated at Standard Logic Level Gate Drive, Facilitating Future  
Migration to Lower Levels Using the Same Basic Topology.  
• This is a Pb−Free Device  
SOT−723 (3−LEAD)  
Applications  
3
• Interfacing, Switching  
• High Speed Switching  
• Cellular Phones, PDA’s  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value Unit  
1
2
V
−20  
8.0  
V
V
DSS  
Top View  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
1 − Gate  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
T = 25°C  
−260  
−185  
−280  
400  
A
Steady  
State  
2 − Source  
3 − Drain  
T = 85°C  
A
I
D
mA  
t v 5 s T = 25°C  
A
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady  
State  
MARKING DIAGRAM  
T = 25°C  
A
P
mW  
mA  
D
t v 5 s  
500  
−215  
−155  
280  
KB M  
1
CASE 631AA  
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
T = 25°C  
A
I
D
SOT−723  
T = 85°C  
A
Steady  
State  
Power Dissipation  
(Note 2)  
P
D
T = 25°C  
A
mW  
mA  
°C  
KB  
M
= Specific Device Code  
= Date Code  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
I
−310  
p
DM  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
150  
J
T
STG  
ORDERING INFORMATION  
Source Current (Body Diode) (Note 2)  
I
S
−240  
mA  
†
Device  
Package  
Shipping  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
260  
°C  
T
L
NTK3142PT1G  
SOT−723 4000/Tape & Reel  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in  
sq [1 oz] including traces)  
(Pb−Free) 4 mm Pitch  
NTK3142PT5G  
SOT−723 8000/Tape & Reel  
(Pb−Free) 2 mm Pitch  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
November, 2009 − Rev. 2  
NTK3142P/D  
 
12345

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NTK3142PT5G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTK3142PT1G ONSEMI

完全替代

 Small Signal MOSFET −20 V, −280 mA, P−C

与NTK3142PT5G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTK4401NT1G ONSEMI

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 		20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, CASE 631AA-01, 3 PIN
NTK-A TOKEN

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 		德键电子(NTK)网络高压分流电阻器可接受客户定制。
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 		High Voltage Network Dividers
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