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NSV60101DMTWTBG

更新时间： 2023-06-19 14:32:06
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 96K
描述
双，60V，1A，低饱和压，NPN 晶体管，WDFN6

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NSV60101DMTWTBG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：5 weeks
风险等级：1.49外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：35
JESD-30 代码：S-PDSO-N6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：2.27 W最大功率耗散 (Abs)：2.27 W
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：180 MHzVCEsat-Max：0.2 V
Base Number Matches：1

NSV60101DMTWTBG 数据手册

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NSS60101DMT  
60 V, 1 A, Low VCE(sat) NPN  
Transistors  
2
ON Semiconductor’s e PowerEdge family of low V  
CE(sat)  
transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low  
saturation voltage (V ) and high current gain capability. These  
are designed for use in low voltage, high speed switching applications  
where affordable efficient energy control is important.  
CE(sat)  
www.onsemi.com  
60 Volt, 1 Amp  
Typical applications are DC−DC converters and LED lightning,  
power management…etc. In the automotive industry they can be used  
in air bag deployment and in the instrument cluster. The high current  
NPN Low V  
Transistors  
CE(sat)  
2
gain allows e PowerEdge devices to be driven directly from PMU’s  
MARKING  
DIAGRAM  
control outputs, and the Linear Gain (Beta) makes them ideal  
components in analog amplifiers.  
1
2
3
6
5
4
WDFN6  
CASE 506AN  
AN MG  
Features  
G
• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
1
AN = Specific Device Code  
M
G
= Date Code  
= Pb−Free Package  
• NSV60101DMTWTBG − Wettable Flanks Device  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
(Note: Microdot may be in either location)  
PIN CONNECTIONS  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Symbol  
Max  
60  
60  
6
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
A
6
5
4
1
2
3
7
8
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Collector Current − Continuous  
Collector Current − Peak  
I
C
1
I
2
A
CM  
6,7  
5
1
2
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance Junction−to−Ambient  
(Notes 1 and 2)  
R
55  
°C/W  
q
JA  
4
3,8  
Total Power Dissipation per Package @  
T = 25°C (Note 2)  
A
P
2.27  
69  
W
°C/W  
W
D
ORDERING INFORMATION  
Thermal Resistance Junction−to−Ambient  
(Note 3)  
R
q
JA  
†
Device  
Package  
Shipping  
Power Dissipation per Transistor @ T = 25°C  
P
D
1.8  
NSS60101DMTTBG  
WDFN6  
(Pb−Free)  
3000/Tape &  
Reel  
A
(Note 3)  
NSV60101DMTWTBG  
WDFN6  
(Pb−Free)  
3000/Tape &  
Reel  
Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
2
1. Per JESD51−7 with 100 mm pad area and 2 oz. Cu (Dual Operation).  
2. P per Transistor when both are turned on is one half of Total P or 1.13 Watts.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
D
D
2
3. Per JESD51−7 with 100 mm pad area and 2 oz. Cu (Single−Operation).  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
July, 2016 − Rev. 2  
NSS60101DMT/D  
 
123456

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与NSV60101DMTWTBG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NSV60200DMTWTBG ONSEMI

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 		Dual 60V 2A Low VCE(sat) PNP Transistors in WDFN6
NSV60200LT1G ONSEMI

获取价格

 		低饱和压晶体管，PNP，-60 V，4.0 A
NSV60200SMTWTBG ONSEMI

获取价格

 		Single 60V 2A Low VCE(sat) PNP Transistor in WDFN6
NSV60201LT1G ONSEMI

获取价格

 		低饱和压晶体管，NPN，60 V，4.0 A，SOT-23 封装
NSV60201SMTWTBG ONSEMI

获取价格

 		Single 60V 2A Low VCE(sat) NPN Transistor in WDFN6
NSV60600MZ4T1G ONSEMI

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 		60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
NSV60600MZ4T3G ONSEMI

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 		60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
NSV60601MZ4T1G ONSEMI

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 		60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor
NSV60601MZ4T3G ONSEMI

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 		60 V, 6.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor
NSV9435T1G ONSEMI

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 		PNP 双极数字晶体管 (BRT)

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