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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> NSV9435T1G
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NSV9435T1G

更新时间： 2023-06-19 14:32:12
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 小信号双极晶体管数字晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 71K
描述
PNP 双极数字晶体管 (BRT)

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NSV9435T1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-261AA包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：2 weeks
风险等级：5.32其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：90JEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：3 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：110 MHz
Base Number Matches：1

NSV9435T1G 数据手册

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NSB9435T1  
Preferred Device  
High Current Bias Resistor  
Transistor  
PNP Silicon  
Features  
http://onsemi.com  
• Collector −Emitter Sustaining Voltage −  
POWER BJT  
IC = 3.0 AMPERES  
BVCEO = 30 VOLTS  
VCE(sat) = 0.275 VOLTS  
V
= 30 Vdc (Min) @ I = 10 mAdc  
C
CEO(sus)  
• High DC Current Gain −  
h
= 125 (Min) @ I = 0.8 Adc  
FE  
C
= 90 (Min) @ I = 3.0 Adc  
C
• Low Collector −Emitter Saturation Voltage −  
V
CE(sat)  
= 0.275 Vdc (Max) @ I = 1.2 Adc  
C
COLLECTOR 2,4  
= 0.55 Vdc (Max) @ I = 3.0 Adc  
C
• SOT−223 Surface Mount Packaging  
BASE  
1
• ESD Rating − Human Body Model: Class 1B  
− Machine Model: Class B  
• Pb−Free Package is Available  
EMITTER 3  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
SOT−223  
CASE 318E  
STYLE 1  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
V
CEO  
V
45  
CB  
EB  
MARKING DIAGRAM  
V
6.0  
1.0  
Base Current − Continuous  
I
B
Collector Current − Continuous  
− Peak  
I
3.0  
5.0  
C
AYW  
9435R G  
G
Total Power Dissipation @ T = 25_C  
P
3.0  
24  
1.56  
W
mW/_C  
W
C
D
1
Derate above 25_C  
Total P @ T = 25_C mounted on 1″ sq.  
D
A
(645 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd  
material  
A
Y
W
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
0.72  
W
Total P @ T = 25_C mounted on 0.012″  
D
A
sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd  
material  
9435R = Device Code  
G
= Pb−Free Package  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to  
+150  
_C  
J
stg  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
†
Device  
Package  
Shipping  
NSB9435T1  
SOT−223  
1000/Tape & Reel  
1000/Tape & Reel  
NSB9435T1G  
SOT−223  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
April, 2006 − Rev. 5  
NSB9435T1/D  
12345

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