Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> NSV2SA2029M3T5G

NSV2SA2029M3T5G

更新时间： 2024-10-02 11:01:35

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安森美 - ONSEMI		放大器光电二极管小信号双极晶体管
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4页	49K
描述
PNP Bipolar Transistor

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NSV2SA2029M3T5G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	5.7
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	140 MHz
Base Number Matches：	1

NSV2SA2029M3T5G 数据手册

2SA2029M3T5G

PNP Silicon General

Purpose Amplifier Transistor

This PNP transistor is designed for general purpose amplifier

applications. This device is housed in the SOT−723 package which is

designed for low power surface mount applications, where board

space is at a premium.

http://onsemi.com

• Reduces Board Space

• High h , 210−460 (Typical)

PNP GENERAL

PURPOSE AMPLIFIER

TRANSISTORS

• Low V , < 0.5 V

CE(sat)

• ESD Performance: Human Body Model; u 2000 V,

Machine Model; u 200 V

• Available in 4 mm, 8000 Unit Tape & Reel

SURFACE MOUNT

• This is a Pb−Free Device

COLLECTOR

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)

Rating

Symbol

Value

−60

Unit

Vdc

Collector−Base Voltage

Collector−Emitter Voltage

Emitter−Base Voltage

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

−50

Vdc

−6.0

−100

Vdc

BASE

EMITTER

Collector Current − Continuous

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Rating

MARKING

DIAGRAM

Symbol

Max

265

Unit

°C

Power Dissipation (Note 1)

Junction Temperature

F9 M

SOT−723

CASE 631AA

150

Storage Temperature Range

stg

−55 ~ +150

°C

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are

exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and

reliability may be affected.

F9 = Specific Device Code

M = Date Code

1. Device mounted on a FR−4 glass epoxy printed circuit board using the

minimum recommended footprint.

ORDERING INFORMATION

†

Device

Package

Shipping

2SA2029M3T5G SOT−723 8000/Tape & Reel

(Pb−Free)

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specification

Brochure, BRD8011/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2004

Publication Order Number:

November, 2004 − Rev. 1

2SA2029M3/D

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NSV2SC5658M3T5G	ONSEMI	获取价格	NPN 双极晶体管
NSV30100LT1G	ONSEMI	获取价格	Low VCE(sat) Transistor, PNP, 30 V, 1.0 A
NSV40200LT1G	ONSEMI	获取价格	低饱和压晶体管，PNP，-40 V，2.0 A
NSV40200UW6T1G	ONSEMI	获取价格	低饱和压晶体管，PNP，-40 V，2.0 A
NSV40201LT1G	ONSEMI	获取价格	低饱和压晶体管，NPN，40 V，2.0 A
NSV40300CTWG	ONSEMI	获取价格	40 V, 3A, Low VCE(sat) PNP Transistor
NSV40300MDR2G	ONSEMI	获取价格	低饱和压晶体管，双 PNP，40 V，6.0 A
NSV40300MZ4T1G	ONSEMI	获取价格	3.0 A, 40 V Low VCE(sat) PNP Power Bipolar Junction Transistor
NSV40301CTWG	ONSEMI	获取价格	40 V, 3.0A Low VCE(sat) NPN Transistor
NSV40301MDR2G	ONSEMI	获取价格	低饱和压晶体管，双 NPN，40 V，6.0 A

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