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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> NST3906DXV6T1G
NST3906DXV6T1G PDF预览

NST3906DXV6T1G

更新时间： 2024-01-24 04:25:22
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
8页 103K
描述
Dual PNP Bipolar Transistor, SOT-563, 6 LEAD, 4000-REEL

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NST3906DXV6T1G 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN
针数：6Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.37Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e3
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
最大关闭时间（toff）：300 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

NST3906DXV6T1G 数据手册

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NST3906DXV6T1,  
NST3906DXV6T5  
Dual General Purpose  
Transistor  
The NST3906DXV6T1 device is a spin- off of our popular  
SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for general  
purpose amplifier applications and is housed in the SOT- 563  
six-leaded surface mount package. By putting two discrete devices in  
one package, this device is ideal for low-power surface mount  
applications where board space is at a premium.  
http://onsemi.com  
(3)  
(2)  
(1)  
Q
Q
1
2
• h , 100-300  
FE  
• Low V , ≤ 0.4 V  
CE(sat)  
• Simplifies Circuit Design  
• Reduces Board Space  
(4)  
(5)  
(6)  
NST3906DXV6T1  
• Reduces Component Count  
• Lead-Free Solder Plating  
4
5
6
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
3
2
1
Symbol  
Value  
-40  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mAdc  
V
Collector- Emitter Voltage  
Collector- Base Voltage  
Emitter- Base Voltage  
Collector Current - Continuous  
Electrostatic Discharge  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
SOT-563  
CASE 463A  
PLASTIC  
-40  
-5.0  
-200  
I
C
MARKING DIAGRAM  
ESD  
HBM>16000,  
MM>2000  
A2 D  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
(One Junction Heated)  
A2 = Specific Device Code  
= Date Code  
Symbol  
Max  
Unit  
D
Total Device Dissipation  
T = 25°C  
A
P
357  
(Note 1)  
2.9  
mW  
D
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C/W  
(Note 1)  
ORDERING INFORMATION  
Thermal Resistance  
Junction-to-Ambient  
R
350  
(Note 1)  
q
JA  
Device  
Package  
Shipping  
NST3906DXV6T1 SOT-563  
4 mm pitch  
4000/Tape & Reel  
Characteristic  
(Both Junctions Heated)  
Symbol  
Max  
Unit  
NST3906DXV6T5 SOT-563  
2 mm pitch  
8000/Tape & Reel  
Total Device Dissipation  
T = 25°C  
A
P
500  
(Note 1)  
4.0  
mW  
D
Derate above 25°C  
mW/°C  
°C/W  
°C  
(Note 1)  
Thermal Resistance  
Junction-to-Ambient  
R
250  
(Note 1)  
q
JA  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
- 55 to +150  
stg  
1. FR-4 @ Minimum Pad  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
March, 2003 - Rev. 0  
NST3906DXV6T1/D  
12345678

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NST3906DXV6T1G 替代型号

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