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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | IN-LINE, R-XDIP-T14 |
| 针数： | 14 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-116 | JESD-30 代码： | R-XDIP-T14 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 4 |
| 端子数量： | 14 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 300 ns | 最大开启时间（吨）： | 40 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NSQ2369 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 15V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, TO-116, |
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| NSQ2484 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-116 |
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| NSQ2906 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-116, |
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| NSQ2907 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, TO-116, |
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| NSQ3467 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, TO-116, Ceramic, |
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| NSQ3724 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, TO-116, Cerami |
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| NSQ3725 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, TO-116, Cerami |
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| NSQ3798 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-116 |
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| NSQ6002 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 4-Element, NPN and PNP, Silicon, TO-116 |
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| NSQ6659 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 35V V(BR)DSS | 850MA I(D) | DIP |
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