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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NSQ6987-100 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 100V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, TO-116, Ceram |
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| NSQ6989-100 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 100V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, TO-116, Ceram |
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| NSQA12VAW5T2 | ONSEMI |
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Low Capacitance Quad Array for ESD Protection |
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| NSQA12VAW5T2G | ONSEMI |
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Low Capacitance Quad Array for ESD Protection |
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| NSQA6V8AQ5T2 | ONSEMI |
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Transient Voltage Suppressor |
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| NSQA6V8AW5T2 | ONSEMI |
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Low Capacitance Quad Array for ESD Protection |
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| NSQA6V8AW5T2/D | ETC |
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Low Capacitance TVS Quad Array for ESD Protection |
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| NSQA6V8AW5T2_06 | ONSEMI |
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Low Capacitance Quad Array for ESD Protection |
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| NSQA6V8AW5T2_09 | ONSEMI |
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Transient Voltage Suppressor ESD Protection Diode with Low Clamping Voltage |
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| NSQA6V8AW5T2G | ONSEMI |
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Low Capacitance Quad Array for ESD Protection |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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