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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-CDIP-T14 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.92 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 | JEDEC-95代码： | TO-116 |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T14 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 14 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NSQ6002 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 4-Element, NPN and PNP, Silicon, TO-116 |
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| NSQ6659 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 35V V(BR)DSS | 850MA I(D) | DIP |
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| NSQ6660 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 460MA I(D) | DIP |
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| NSQ6661 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 90V V(BR)DSS | 400MA I(D) | DIP |
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| NSQ6987-100 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 100V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, TO-116, Ceram |
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| NSQ6989-100 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 100V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, TO-116, Ceram |
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| NSQA12VAW5T2 | ONSEMI |
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Low Capacitance Quad Array for ESD Protection |
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| NSQA12VAW5T2G | ONSEMI |
获取价格 |
Low Capacitance Quad Array for ESD Protection |
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| NSQA6V8AQ5T2 | ONSEMI |
获取价格 |
Transient Voltage Suppressor |
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| NSQA6V8AW5T2 | ONSEMI |
获取价格 |
Low Capacitance Quad Array for ESD Protection |
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